技術(shù)編號：6876459
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及沉積材料層的方法，更特別地，本發(fā)明涉及能夠增加貴金屬層在鐵電層上的沉積速率的制造材料層的方法、使用該材料層的鐵電電容器的制造方法、通過該方法制造的鐵電電容器、以及具有該鐵電電容器的半導(dǎo)體存儲器及其制造方法。背景技術(shù) 半導(dǎo)體器件大致劃分為隨機存取存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)，RAM是易失性的并且可以自由地讀和寫，而ROM則是非易失性的且只能讀取。雖然有多種RAM，但是動態(tài)RAM(DRAM)是最廣為人知的。DRAM不但具有高的集成度而且可以...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。