技術(shù)編號：6876283
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路及其制造，尤其涉及一種新結(jié)構(gòu)的MOS晶體管及其制作方法。背景技術(shù)MOS晶體管的特征尺寸不斷按比例縮小，當(dāng)進(jìn)入納米尺度，各種小尺寸效應(yīng)如短溝道效應(yīng)(SCE)、漏感應(yīng)勢壘降低效應(yīng)(DIBL)等變得越來越嚴(yán)重，嚴(yán)重的影響小尺寸MOS晶體管的器件性能。因此，為了繼續(xù)保持MOS晶體管在納米尺度仍具有強(qiáng)的按比例縮小能力，研究者已經(jīng)提出了多種新結(jié)構(gòu)、新材料和新工藝。絕緣體上硅(SOI)器件就是其中一種。按硅膜厚度的不同，SOI器件主要分為兩類一類...
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