技術(shù)編號(hào):6874480
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件。具體地,本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器件。背景技術(shù) 電存儲(chǔ)數(shù)據(jù)并保持所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)直到輸入擦除信號(hào)的非易失性存儲(chǔ)器件需要在低壓下操作以讀取和擦除,并具有優(yōu)異的數(shù)據(jù)保持性。通常,在具有多層電荷存儲(chǔ)層的非易失性存儲(chǔ)器件的單元區(qū)中,有在襯底上形成的具有多層電荷存儲(chǔ)層以及在電荷存儲(chǔ)層上形成的柵電極的存儲(chǔ)單元。在具有用于電荷存儲(chǔ)的多層絕緣層的非易失性存儲(chǔ)器件中,將電子或空穴從電荷存儲(chǔ)絕緣層放電到襯底,或從襯底注入電荷存儲(chǔ)絕緣層。根據(jù)電荷存儲(chǔ)絕緣層的電位,...
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