技術(shù)編號(hào)：6874476
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及SOI結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù) 稱為SOI(絕緣體上硅)器件的半導(dǎo)體器件最近由于用作高速和低功耗器件而引起注意。這種SOI器件制作在SOI結(jié)構(gòu)的SOI襯底內(nèi)，SOI結(jié)構(gòu)將掩埋的氧化物薄膜夾在SOI層和硅襯底之間。傳統(tǒng)上，使用隔離氧化物薄膜形成SOI元件(形成于SOI結(jié)構(gòu)的SOI層內(nèi)的(半導(dǎo)體)元件，例如晶體管)的完全隔離，該隔離氧化物薄膜穿過SOI層的Si(硅)直至掩埋氧化物薄膜。由于該元件和另外元件徹底電絕緣，這種完全隔離技術(shù)具有諸...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。