技術(shù)編號：6874146
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般所涉及到的是半導(dǎo)體器件的單元構(gòu)造與制作過程。更細地說，這項發(fā)明闡明了用于制作有溝槽的半導(dǎo)體器件，例如有溝槽的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件的一種新型的和改進的單元結(jié)構(gòu)與改進的制作步驟，以能消除在深溝槽內(nèi)柵極氧化層上弱點。背景技術(shù)對于具備一般半導(dǎo)體制作工藝技術(shù)的人而言，在半導(dǎo)體襯底上開出的溝槽的底部形成厚的氧化物層仍然有技術(shù)上的困難。尤其是在具有窄臨界尺寸(CD)的深溝槽的底部形成厚氧化層的加工過程中，必然會在溝槽底部的角落附...
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