技術(shù)編號(hào):6872370
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù) 作為本發(fā)明背景的現(xiàn)有技術(shù),有本申請(qǐng)人申請(qǐng)的日本特開2003-318398號(hào)公報(bào)。在該現(xiàn)有技術(shù)中,在N+型碳化硅基板上形成有N-型碳化硅外延區(qū)域的半導(dǎo)體基體的一個(gè)主面,N-型多晶硅區(qū)域和N+型多晶硅區(qū)域相連接地形成,外延區(qū)域和N-型多晶硅區(qū)域之間以及外延區(qū)域和N+型多晶硅區(qū)域之間為異質(zhì)結(jié)。另外,與外延區(qū)域和N+型多晶硅區(qū)域的接合部相鄰地、隔著柵絕緣膜形成有柵電極。N-型多晶硅區(qū)域與源電極相連接,在N+型碳化硅基板的里面形成有漏電極。...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。