技術(shù)編號(hào)：6872111
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于一種高速隨機(jī)存取存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，特別有關(guān)于一種用來制造高速隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中控制柵極的自對(duì)準(zhǔn)導(dǎo)電間隙壁制程。背景技術(shù) 對(duì)于高效率數(shù)字設(shè)備的需求逐漸增加，尤其希望將高速及低耗電量的存儲(chǔ)器整合至系統(tǒng)單晶片(system on chip，SoC)，傳統(tǒng)的存儲(chǔ)元件例如SRAM、DRAM或快閃存儲(chǔ)器已無法滿足需求，因此發(fā)展出了一種具成本效益及內(nèi)嵌的存儲(chǔ)元件，直接隧道存儲(chǔ)器(DTM)，它具有超薄的隧道氧化層，及創(chuàng)新的浮置柵極。DTM結(jié)構(gòu)包括一對(duì)控制柵極，形成在浮...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。