技術(shù)編號(hào)：6871965
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及到可再編程不揮發(fā)性存儲(chǔ)器，更具體地講，涉及到利用一種超薄介質(zhì)(比如MOS柵介質(zhì))的擊穿現(xiàn)象來存儲(chǔ)數(shù)字信息的一種不揮發(fā)性可再編程半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。背景技術(shù) 不揮發(fā)性存儲(chǔ)器在去掉電源后仍能保持所保存的數(shù)據(jù)，這在許多種不同的計(jì)算機(jī)和其它電子設(shè)備中是需要的，或至少是高度期望的。一種通常的不揮發(fā)性存儲(chǔ)器是可編程只讀存儲(chǔ)器(“PROM”)，它利用字線-位線交叉點(diǎn)元件如熔絲、反熔絲，和俘獲電荷器件如浮置柵雪崩注入金屬氧化物半導(dǎo)體(“FAMOS”)晶體管來存儲(chǔ)邏輯信...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。