技術編號：6871310
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造微電子器件的方法，其中在基片上構成存儲電容，并在該存儲電容上構成一個防止氫透過的勢壘。本發(fā)明另外還涉及這類微電子器件。背景技術 常規(guī)的微電子半導體存儲器件(DRAM)主要是由選擇晶體管或開關晶體管和存儲電容組成，其中在兩個電容片之間插入一種介電材料。在大多數情況下，通常采用介電常數最大約為8的氧化物或氮化物層作為電介質。為了縮小所述的存儲電容并制造出非易失的存儲器，需要具有很高介電常數的“新型”電容材料(鐵電物質或順電體)。在W.Hoen...
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