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形成高深寬比連接孔的方法技術資料下載

技術編號:6870864

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本發(fā)明涉及半導體制造,特別涉及一種形成集成電路中的高深寬比連接孔的方法。背景技術 半導體集成電路的制作是極其復雜的過程,目的在于將特定電路所需的各種電子組件和線路,縮小制作在小面積的晶片上。其中,各個組件必須藉由適當?shù)膬冗B導線來作電性連接,才能發(fā)揮所期望的功能。由于集成電路的制作向超大規(guī)模集成電路(ULSI)發(fā)展,其內部的電路密度越來越大,隨著芯片中所含元件數(shù)量不斷增加,實際上就減少了表面連線的可用空間。這一問題的解決方法是采用多層金屬導線設計,也就是利用...
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