技術(shù)編號：6870483
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲器件，特別涉及包括多個存儲單元的動態(tài)隨機存取存儲器件，各存儲單元包括用于改善無錯信息存儲性能的MOS場效應晶體管和電容器的單元。背景技術(shù)參照附圖說明圖1A和1B來描述一種典型的常規(guī)動態(tài)隨機存取存儲器件。圖1A是展示常規(guī)動態(tài)隨機存取存儲器件的局部平面圖。圖1B是沿圖1A中B-B線所取的展示常規(guī)動態(tài)隨機存取存儲器件的局部縱向剖面圖。如圖1A和1B所示，在p型半導體襯底1上形成常規(guī)動態(tài)隨機存取存儲器件。在p型半導體襯底1上選擇地形成場氧化膜。...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。