技術(shù)編號(hào)：6870111
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是涉及一種，其具有一浮動(dòng)閘極電極，包括具有多個(gè)電荷轉(zhuǎn)換點(diǎn)的一缺口邊緣，用以改善抹除電壓的功效。背景技術(shù) 在快閃電流可抹除可程式只讀(即唯讀，以下均稱為只讀)記憶體(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)元件中，經(jīng)由絕緣層將電荷傳送入浮動(dòng)閘極電極或傳送出浮動(dòng)閘極電極以完成寫入與消除動(dòng)作所需的電壓大小是成功操作快閃電流可抹除可程式只讀記...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。