技術(shù)編號(hào)：6870073
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明主要涉及具有很薄垂直硅層(鰭片)用于溝道的應(yīng)變雙柵極金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的結(jié)構(gòu)，稱為FINFET，以及制造應(yīng)變FINFET的方法，該方法用應(yīng)力材料替代FINFET的柵極的一部分以向FINFET的溝道提供應(yīng)力。該應(yīng)力提高電子和空穴遷移率并提高FINFET的性能。更具體地說(shuō)，用應(yīng)力氮化物膜替代FINFET的SiGe/Si疊層?xùn)艠O的SiGe部分以向FINFET的溝道提供應(yīng)力。背景技術(shù) 在過(guò)去的大約25年，超大規(guī)模集成(VLSI)的主...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。