技術(shù)編號：6870009
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明系關(guān)于電子可寫入及可消除非易失閃存領(lǐng)域，其包括較佳 為以虛擬接地邏輯或非(NOR)陣列排列的氮化物只讀存儲器(Nitride Read-Only Memory, NROM)-形式內(nèi)存單元。背景技術(shù)非常小的非易失內(nèi)存單元對在多媒體應(yīng)用的非常大型的集成密度 是必要的。然而，盡管最小特性尺寸，其由微影所決定，持續(xù)減少， 但其它參數(shù)無法據(jù)以按比例增減。NROM-形式內(nèi)存單元被敘述于B. Eitan等，，NROM新穎局部陷 阱，2-位非易失內(nèi)存單元，，，IEE...
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