技術(shù)編號(hào)：6869694
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，該半導(dǎo)體集成電路包括邏輯部分和存儲(chǔ)器陣列部分，邏輯部分具有N溝道型場效應(yīng)晶體管和P溝道型場效應(yīng)晶體管，并且存儲(chǔ)器陣列部分也具有N溝道型場效應(yīng)晶體管和P溝道型場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體集成電路的小型化，僅僅通過過去所采用的按比例縮小(scaling)已經(jīng)變得難于增加場效應(yīng)晶體管的性能了。有鑒于此，對(duì)于90nm以及下一代半導(dǎo)體集成電路，人們已經(jīng)關(guān)注通過使用薄膜應(yīng)力來增加遷移率而提高性能的技術(shù)(參見例如Shinya Ito等人的“Mechan...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。