技術(shù)編號(hào)：6869378
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。技術(shù)背景現(xiàn)在，即使切斷電源也能夠保持所存儲(chǔ)信息的閃存(flash memory)使用 在手機(jī)這樣的移動(dòng)設(shè)備中，其技術(shù)已經(jīng)被廣泛普及。該閃存中的每一個(gè)存儲(chǔ)單元(memory cell)是將隧道絕緣膜、浮柵 (Floating gate)、中間絕緣膜、控制柵(control gate)依次形成在半導(dǎo)體襯 底上而成的，這樣的存儲(chǔ)單元與周邊電路一起集成成在半導(dǎo)體襯底上，從而 構(gòu)成一個(gè)閃存。例如，在下述特許文獻(xiàn)1至3中公開了上述的閃存。在閃存的制造工...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。