技術(shù)編號：6869010
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種按主權(quán)利要求前序部分所述的方法和一種按副權(quán)利要求前序部分所述的裝置。 背景技術(shù)SiC半導(dǎo)體元件只有一種有限的電流耗用能力或載流能力。按現(xiàn)有技術(shù) 在SiC半導(dǎo)體元件或SiC芯片中限定為約IOA。發(fā)明內(nèi)容因此本發(fā)明所要解決技術(shù)問題是通過簡單和經(jīng)濟的方式有效地提高 SiC半導(dǎo)體元件受限制的載流能力。上述技術(shù)問題通過按主權(quán)利要求所述的方法和按副權(quán)利要求所述的裝 置得以解決。在從屬權(quán)利要求中可知其他有利的擴展設(shè)計。通過在晶片平面上相宜地并聯(lián)的SiC芯片...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。