技術(shù)編號：6868898
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及。本發(fā)明特別涉及半導(dǎo)體晶片的切割部分的結(jié)構(gòu)、用于芯片分割的切割方法和半導(dǎo)體器件的邊緣部分的結(jié)構(gòu)。像絕緣柵場效應(yīng)晶體管(下文稱為MOS晶體管)等的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)微型化仍在快速發(fā)展。在微型化方面，目前正在研究采用尺寸大約為0.1μm至0.2μm的半導(dǎo)體元件，利用這些尺寸作為設(shè)計原則，含有16Gb級的DRAM、超高速邏輯或二者兼有的ULSI半導(dǎo)體器件正處于研制和發(fā)展中。為了半導(dǎo)體器件的高度集成、高速度、高性能和其它的多種功能，用于安裝半導(dǎo)體器件的高密...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。