專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體器件及其制造方法。本發(fā)明特別涉及半導(dǎo)體晶片的切割部分的結(jié)構(gòu)、用于芯片分割的切割方法和半導(dǎo)體器件的邊緣部分的結(jié)構(gòu)。
像絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(下文稱(chēng)為MOS晶體管)等的半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)微型化仍在快速發(fā)展。在微型化方面，目前正在研究采用尺寸大約為0.1μm至0.2μm的半導(dǎo)體元件，利用這些尺寸作為設(shè)計(jì)原則，含有16Gb級(jí)的DRAM、超高速邏輯或二者兼有的ULSI半導(dǎo)體器件正處于研制和發(fā)展中。
為了半導(dǎo)體器件的高度集成、高速度、高性能和其它的多種功能，用于安裝半導(dǎo)體器件的高密度半導(dǎo)體芯片安裝技術(shù)，與用于制造半導(dǎo)體器件的精加工技術(shù)一起扮演著重要的角色。特別是近些年，為了用于便攜式設(shè)備，利用多芯片封裝(MCP)技術(shù)(在一個(gè)封裝中含有兩個(gè)或更多個(gè)芯片)、芯片規(guī)格封裝(chip scale package)技術(shù)等安裝半導(dǎo)體芯片以及半導(dǎo)體集成電路(IC)微型化已經(jīng)是很重要的了。
發(fā)展上述高密度安裝技術(shù)，需要在含有半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體晶片上利用樹(shù)脂膜形成保護(hù)絕緣膜。因此，目前在上述半導(dǎo)體晶片上形成了光敏樹(shù)脂膜如聚酰亞胺樹(shù)脂膜。
此外，在切割半導(dǎo)體晶片以分離半導(dǎo)體芯片的工藝中，認(rèn)為這種樹(shù)脂膜在防止半導(dǎo)體芯片表面上的缺陷(碎裂)方面起著重要的作用。
據(jù)此，形成了上述用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片的樹(shù)脂膜，使其覆蓋半導(dǎo)體晶片的切割部分(切割通道)的整個(gè)表面，沿著這個(gè)切割通道，用金剛石切刀來(lái)切割半導(dǎo)體晶片。例如，在日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)第一次公開(kāi)No.62-063446和日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)第一次公開(kāi)No.62-112348中描述了該技術(shù)。
下面是傳統(tǒng)技術(shù)的說(shuō)明，參考圖8，圖8是半導(dǎo)體晶片的局部平面圖。這里，示出了四個(gè)芯片的邊緣部分。此外，為了清楚，在覆蓋半導(dǎo)體晶片的樹(shù)脂膜上畫(huà)出了斜紋線(xiàn)。
如圖8所示，半導(dǎo)體元件區(qū)(半導(dǎo)體芯片)102、102a、102b和102c形成在半導(dǎo)體晶片101上。這里，在每個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)的邊緣部分上形成了焊盤(pán)103。除了設(shè)在焊盤(pán)103上的開(kāi)口104之外，在整個(gè)表面上形成了樹(shù)脂膜105。這里，在半導(dǎo)體元件區(qū)102、102a、102b和102c之間以預(yù)定的寬度形成為芯片分割而提供的切割通道(即邊界區(qū)106)，形成的樹(shù)脂膜覆蓋該切割通道109的整個(gè)表面。
在切割半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片的情況下，沿圖8中虛線(xiàn)所示的分割線(xiàn)107，用金剛石切刀切割半導(dǎo)體晶片。這里，將金剛石切刀在覆蓋切割通道106的樹(shù)脂膜頂部切割，透過(guò)該樹(shù)脂膜來(lái)切割上述半導(dǎo)體晶片。
然而，已知上述傳統(tǒng)技術(shù)存在下列問(wèn)題。如果在切割通道上形成了樹(shù)脂膜105，必然會(huì)減小在半導(dǎo)體晶片切割工藝中的碎裂。然而，在半導(dǎo)體晶片被切割后，本發(fā)明人對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行了仔細(xì)的檢查，發(fā)現(xiàn)在半導(dǎo)體芯片的背面很容易出現(xiàn)大量的碎裂。
一般，在完成半導(dǎo)體器件制造工藝的前一半(擴(kuò)散工藝)之后，將半導(dǎo)體晶片的背面研磨到300μm的厚度之下。經(jīng)過(guò)上述處理后，切割半導(dǎo)體晶片。具有高性能或多功能的半導(dǎo)體集成電路(IC)的半導(dǎo)體晶片在研磨后具有更小的厚度。結(jié)果，當(dāng)制造上述前沿半導(dǎo)體集成電路(IC)時(shí)，經(jīng)過(guò)上述切割后，在半導(dǎo)體芯片的安裝工藝(后半部分制造工藝)、例如管芯鍵合工藝中，半導(dǎo)體芯片背面上的碎裂容易引起如與夾具接觸不良的問(wèn)題。這種問(wèn)題在上述MCP的安裝中尤為嚴(yán)重。
因此，為了解決傳統(tǒng)技術(shù)的上述問(wèn)題，如圖9(a)所示，提出了一種方法，在半導(dǎo)體元件區(qū)102、102a、102b和102c中形成樹(shù)脂膜105a，但去掉切割通道106上的樹(shù)脂膜。然后沿著分割線(xiàn)107切割半導(dǎo)體晶片，形成半導(dǎo)體芯片。
然而，在這種情況下，如圖9(b)所示，當(dāng)安裝通過(guò)切割半導(dǎo)體晶片形成的半導(dǎo)體芯片時(shí)，在焊絲的連接方面出現(xiàn)了大問(wèn)題。下面描述圖9(b)所示的半導(dǎo)體芯片108的剖面結(jié)構(gòu)在形成了半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體襯底109上形成了無(wú)機(jī)絕緣膜110，在其上面形成了焊盤(pán)103，在頂部形成了具有開(kāi)口104的樹(shù)脂膜105a。在帶狀襯底或安裝在襯底上的針腳(stitch)111與焊盤(pán)103之間連接焊絲112。然而，該焊絲很容易彎曲，成為變形的焊絲113，這種變形的焊絲會(huì)使其與半導(dǎo)體芯片108的邊緣接觸。這里，在圖9(a)所描述的方法中，由于半導(dǎo)體襯底109的表面在切割通道106處被暴露，焊絲112引起與半導(dǎo)體襯底109的短路，這種短路阻礙了半導(dǎo)體器件的工作。也就是說(shuō)，很容易出現(xiàn)焊絲的邊緣接觸，可能頻繁地制造出有缺陷的半導(dǎo)體集成電路(IC)。
本發(fā)明的目的是防止在半導(dǎo)體晶片切割過(guò)程中，在半導(dǎo)體芯片背面上出現(xiàn)的碎裂。本發(fā)明的另一個(gè)目的是使其能夠容易地防止上述邊緣接觸。
因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片和為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)，其中在與每個(gè)芯片的焊盤(pán)匹配的邊界區(qū)的部分上形成了樹(shù)脂膜圖形。也可以是，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片和為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)，其中在邊界區(qū)的周?chē)灶A(yù)定的寬度形成了樹(shù)脂膜圖形。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件制造方法中，在半導(dǎo)體晶片上為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)的周?chē)扛矘?shù)脂膜，然后沿著邊界區(qū)的中心部分切割該半導(dǎo)體晶片。這里邊界區(qū)周?chē)膶挾却笥?0μm。
此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，其中在半導(dǎo)體襯底上形成了半導(dǎo)體元件，在為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)的部分上形成了與每個(gè)芯片的焊盤(pán)相匹配的樹(shù)脂膜圖形。也可以是，在半導(dǎo)體襯底上形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件中，在為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)的周?chē)灶A(yù)定寬度形成了樹(shù)脂膜圖形。
樹(shù)脂膜圖形的寬度設(shè)定為大于10μm。也可以將樹(shù)脂膜圖形的厚度設(shè)定為大于或等于0.1μm。
在本發(fā)明中，在為半導(dǎo)體芯片的分割而設(shè)置的邊界區(qū)的周?chē)纬闪藰?shù)脂膜。因此，當(dāng)切割半導(dǎo)體晶片時(shí)，所形成的半導(dǎo)體芯片的背面上的碎裂被顯著減小。此外，在安裝通過(guò)切割半導(dǎo)體晶片而形成的半導(dǎo)體芯片時(shí)，當(dāng)連接焊絲時(shí)，根本不會(huì)出現(xiàn)上述邊緣接觸問(wèn)題。通過(guò)這種方式，顯著提高了半導(dǎo)體芯片安裝工序的成品率。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體晶片的平面圖；圖2A和2B是半導(dǎo)體晶片切割后的截面圖，說(shuō)明本發(fā)明的效果；圖3A是半導(dǎo)體晶片的平面圖，說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施例；圖3B是說(shuō)明半導(dǎo)體芯片安裝的剖視圖；圖4是說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施例的另一個(gè)半導(dǎo)體晶片的平面圖；圖5是說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施例的另一個(gè)半導(dǎo)體晶片的平面圖；圖6是說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施例的另一個(gè)半導(dǎo)體晶片的平面圖；圖7是MCP的剖視示意圖，其中安裝了半導(dǎo)體芯片；圖8是說(shuō)明傳統(tǒng)技術(shù)的半導(dǎo)體晶片平面圖；以及圖9A和9B是說(shuō)明傳統(tǒng)技術(shù)的半導(dǎo)體晶片平面圖和說(shuō)明半導(dǎo)體芯片安裝的剖視圖。
下面是基于圖1和圖2的關(guān)于第一實(shí)施例的描述。圖1是半導(dǎo)體晶片的局部平面圖。這里，與圖8的說(shuō)明類(lèi)似，示出了四個(gè)芯片的邊緣部分。此外，為了清楚，在覆蓋半導(dǎo)體晶片的樹(shù)脂膜上畫(huà)出了陰影線(xiàn)。
如圖1所示，在半導(dǎo)體晶片1上形成了作為半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體元件區(qū)2、2a、2b和2c。在每個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)的邊緣形成了焊盤(pán)3。以樹(shù)脂膜圖形存在的樹(shù)脂膜5、5a、5b和5c分別覆蓋半導(dǎo)體元件區(qū)2、2a、2b和2c，但避免覆蓋設(shè)在每個(gè)焊盤(pán)3上的開(kāi)口4和連接通道6的中央?yún)^(qū)域，該連接通道是為芯片分離而提供的邊界區(qū)域。這里，控制每個(gè)樹(shù)脂膜從半導(dǎo)體元件區(qū)延伸到連接通道6區(qū)的量也就是圖1所示覆蓋量d是很重要的。這一點(diǎn)在下面將要描述。這里樹(shù)脂膜5、5a、5b和5c包括光敏樹(shù)脂例如聚酰亞胺樹(shù)脂等。
當(dāng)切割上述半導(dǎo)體晶片，以形成半導(dǎo)體芯片時(shí)，是沿著圖1中的虛線(xiàn)所示的切割線(xiàn)7，用金剛石切刀來(lái)切割的。這里，將金剛石切刀施加在半導(dǎo)體晶片1的暴露的半導(dǎo)體襯底上，不像傳統(tǒng)的技術(shù)那樣接觸樹(shù)脂膜。在傳統(tǒng)技術(shù)中，像聚酰亞胺等的樹(shù)脂膜粘到金剛石切刀上，降低了切割效率。因此，在切割時(shí)需要給刀片施加大功率。然而，在本發(fā)明中，沒(méi)有出現(xiàn)像上面提到的粘樹(shù)脂，因而在切割時(shí)降低了刀片施加到半導(dǎo)體襯底上的力。結(jié)果，如下面所提到的，本發(fā)明減小了碎裂量。
參考圖2和表1，下面是本實(shí)施例的效果說(shuō)明。這里，圖2(a)是本發(fā)明的情況，圖2(b)是圖8所描述的傳統(tǒng)技術(shù)的情況。
如圖2(a)所示，在本發(fā)明中，通過(guò)切割形成了半導(dǎo)體芯片8和8a。這里，在圖2(a)中虛線(xiàn)所示的半導(dǎo)體襯底9和9a上形成了無(wú)機(jī)絕緣膜10，并且分別在頂部上形成了樹(shù)脂膜5和5a。上述切割引起在半導(dǎo)體芯片8和8a的表面?zhèn)鹊倪吘壋霈F(xiàn)碎裂11和11a，在相反側(cè)出現(xiàn)背面的碎裂12和12a。
類(lèi)似地，如圖2(b)所示，在傳統(tǒng)方法中，通過(guò)切割形成半導(dǎo)體芯片108和108a。這里，穿過(guò)圖2(b)中虛線(xiàn)所示的樹(shù)脂膜105的區(qū)域，切割半導(dǎo)體晶片101。在半導(dǎo)體襯底109和109a上形成了無(wú)機(jī)絕緣膜110，在頂部形成了樹(shù)脂膜105并切割該絕緣膜。上述切割引起在半導(dǎo)體芯片108和108a的表面?zhèn)冗吘壋霈F(xiàn)表面碎裂，在相反側(cè)上出現(xiàn)背面的碎裂115和115a。
通過(guò)表1描述了這種碎裂的程度。如表1所示，在本發(fā)明的情況下，大大減小了背面碎裂12和12a的長(zhǎng)度，該長(zhǎng)度小于或等于在傳統(tǒng)方法中背面碎裂115和115a長(zhǎng)度的十分之一。這里，碎裂的長(zhǎng)度是碎裂從半導(dǎo)體芯片的邊緣延伸到半導(dǎo)體元件區(qū)內(nèi)側(cè)的長(zhǎng)度。
表1
更詳細(xì)地說(shuō)，在本發(fā)明的情況下，如圖1所示，半導(dǎo)體芯片表面上的碎裂長(zhǎng)度為5-10μm。此外，在傳統(tǒng)方法中，半導(dǎo)體芯片表面上的碎裂長(zhǎng)度為5-10μm，與本發(fā)明相同。這就是說(shuō)，在本發(fā)明中，從半導(dǎo)體元件區(qū)的邊緣到切割通道6區(qū)，樹(shù)脂膜5、5a、5b和5c的覆蓋量d最好大于10μm。這是因?yàn)楸砻嫠榱?1和11a的長(zhǎng)度如上所述為10μm或更小。如果覆蓋量超過(guò)d超過(guò)這個(gè)值，那么表面碎裂不會(huì)到達(dá)半導(dǎo)體元件區(qū)，因此對(duì)半導(dǎo)體元件沒(méi)有任何影響。
另一方面，在背面上，在本發(fā)明的情況下，背面的碎裂長(zhǎng)度為15μm或更小。而在傳統(tǒng)方法的情況下，背面碎裂的長(zhǎng)度達(dá)到150μm至200μm。
當(dāng)制造上述前沿半導(dǎo)體集成電路(IC)時(shí)，在半導(dǎo)體芯片安裝工藝中的管芯鍵合過(guò)程中，這種背面碎裂的減小顯著降低了與夾具的不良接觸。
下面基于圖3至圖6描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。在該第二實(shí)施例中，描述了容易地避免上述半導(dǎo)體芯片的邊緣接觸問(wèn)題的方法。圖3(a)和圖4至圖6是半導(dǎo)體晶片的局部平面圖。這里，為了簡(jiǎn)便，示出了兩個(gè)芯片的邊緣部分。此外，為了清楚，在覆蓋半導(dǎo)體晶片的樹(shù)脂膜上畫(huà)出了陰影線(xiàn)。圖3(b)是圖3(a)中的半導(dǎo)體晶片經(jīng)切割后得到半導(dǎo)體芯片的截面圖，該半導(dǎo)體芯片通過(guò)焊絲與安裝夾具連接。這里，與第一實(shí)施例相同的部分用相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示。
如圖3(a)所示，在半導(dǎo)體晶片1上形成了半導(dǎo)體元件區(qū)2和2a。在每個(gè)半導(dǎo)體元件區(qū)的邊緣部分上形成了焊盤(pán)3。樹(shù)脂膜13和13a分別覆蓋半導(dǎo)體元件區(qū)2和2a，但是要避免覆蓋設(shè)在每個(gè)焊盤(pán)3上的開(kāi)口4。
在切割通道6區(qū)中形成了邊緣接觸防護(hù)膜，也就是樹(shù)脂膜圖形，每個(gè)都對(duì)應(yīng)于上述焊盤(pán)3。這里，上述樹(shù)脂膜13、13a和邊緣接觸防護(hù)膜14包括光敏聚酰亞胺樹(shù)脂膜。
在切割上述半導(dǎo)體晶片，形成半導(dǎo)體芯片的情況下，沿著圖3(a)中虛線(xiàn)所示的分割線(xiàn)7，用金剛石切刀來(lái)切割。這里，金剛石切刀施加在半導(dǎo)體晶片1的暴露的半導(dǎo)體襯底，金剛石切刀不像傳統(tǒng)技術(shù)那樣接觸樹(shù)脂膜。因此，就像在第一實(shí)施例中所提到的，減小了半導(dǎo)體芯片的碎裂量。
在圖3(b)所示的第二實(shí)施例的情況下，在安裝通過(guò)切割上述半導(dǎo)體晶片而形成的半導(dǎo)體芯片中連接焊絲時(shí)，根本不會(huì)出現(xiàn)邊緣接觸問(wèn)題。這一點(diǎn)將參考圖3(b)來(lái)說(shuō)明。
下面描述圖3(b)所示的半導(dǎo)體芯片8的輪廓在形成了半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體襯底9上形成了無(wú)機(jī)絕緣膜10，在其上部形成了焊盤(pán)3，在頂部形成了具有開(kāi)口4的樹(shù)脂膜13。在與安裝夾具的外端連接的針腳15和焊盤(pán)3之間連接焊絲16。這里，如在傳統(tǒng)技術(shù)中所描述的，焊絲16可很容易地彎曲，成為變形的線(xiàn)17，這會(huì)使焊絲與半導(dǎo)體芯片108的邊緣接觸。
然而，在本發(fā)明中，如圖3(a)和圖3(b)所示，邊緣接觸防護(hù)膜14形成在切割通道6區(qū)的部分中，面對(duì)焊盤(pán)3。這里，如圖3(b)所示，形成邊緣接觸防護(hù)膜14，使其與樹(shù)脂膜13成為一個(gè)整體。既然邊緣接觸防護(hù)膜14使變形的焊絲17和半導(dǎo)體襯底隔離開(kāi)，絕不會(huì)出現(xiàn)上述傳統(tǒng)技術(shù)的情況下提到的短路現(xiàn)象，因而不會(huì)出現(xiàn)有缺陷的半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)品。這種邊緣接觸防護(hù)膜14的厚度可以是0.1μm或更大。
在第二實(shí)施例中，圖3(a)所示的邊緣接觸防護(hù)膜14的圖形形狀可以有幾種變化。該樹(shù)脂膜圖形的形狀將參考圖4-6來(lái)描述。下面關(guān)于圖形的說(shuō)明主要集中在邊緣防護(hù)膜。注意沒(méi)有描述的部分與圖3(a)所描述的一樣。
如圖4所示，形成半導(dǎo)體元件區(qū)2和2a，在各半導(dǎo)體元件區(qū)的邊緣部分形成焊盤(pán)3。樹(shù)脂膜13和13a分別覆蓋半導(dǎo)體元件區(qū)2和2a，但避免覆蓋設(shè)在焊盤(pán)3上的開(kāi)口4。
在半導(dǎo)體元件區(qū)2的所有的焊盤(pán)3的旁邊，在切割通道6區(qū)中形成一個(gè)邊緣接觸防護(hù)膜18。此外，在半導(dǎo)體元件區(qū)2a的焊盤(pán)3的旁邊形成邊緣防護(hù)膜19和20。
在圖5中，在半導(dǎo)體元件區(qū)2和2a的焊盤(pán)旁邊，在切割通道6區(qū)中形成了邊緣防護(hù)膜21、22、21a和22a。
如圖6所示，在半導(dǎo)體元件區(qū)2和2a的焊盤(pán)旁邊，在切割通道6區(qū)中，形成了邊緣接觸防護(hù)膜23和24。
在切割上述半導(dǎo)體晶片形成半導(dǎo)體芯片的情況下，是沿著圖6中虛線(xiàn)所示的分割線(xiàn)用金剛石切刀來(lái)切割的。這里，金剛石切刀也接觸邊緣防護(hù)膜23和24，并切割這些區(qū)。然而，在這種情況下，有些區(qū)沒(méi)有被邊緣接觸防護(hù)膜覆蓋。既然金剛石切刀接觸上述沒(méi)有被邊緣防護(hù)膜覆蓋的區(qū)中的半導(dǎo)體襯底表面，在這些區(qū)中，金剛石切刀被刷干凈。結(jié)果，即使樹(shù)脂膜粘到切刀上，也被移去了。在這種情況下，背面碎裂的出現(xiàn)也少于在傳統(tǒng)技術(shù)的情況下出現(xiàn)的碎裂。
在第二實(shí)施例中描述的方法對(duì)MCP安裝技術(shù)很有效果。上述MCP安裝情況的例子將參考圖7來(lái)說(shuō)明。如圖7所示，在襯底上形成第一布線(xiàn)層32，并連接到外封裝端子31。通過(guò)第一熱壓鍵合片33使第一半導(dǎo)體芯片34形成與襯底的連接。該第一半導(dǎo)體芯片34的焊盤(pán)通過(guò)第一焊絲即焊絲35與第一布線(xiàn)層32電連接。
此外，通過(guò)第二熱壓鍵合片36將第二半導(dǎo)體芯片37連接到第一半導(dǎo)體芯片34上。然后，通過(guò)第二焊絲即焊絲38將第二半導(dǎo)體芯片37的焊盤(pán)與第二布線(xiàn)層39電連接。這里，例如，在第一半導(dǎo)體芯片34上形成了SRAM，然后在第二半導(dǎo)體芯片37上形成了閃速存儲(chǔ)器。以這種方式，就構(gòu)成了具有新功能的半導(dǎo)體集成電路(IC)。
在這種MCP中，具有長(zhǎng)的焊絲。在圖7所示的情況下，用于連接第二半導(dǎo)體芯片37的第二焊絲38比正常的焊絲更長(zhǎng)。因此，如上所述該焊絲很容易彎曲，很可能出現(xiàn)變形的焊絲與第二半導(dǎo)體芯片37的邊緣接觸。也會(huì)出現(xiàn)與第一半導(dǎo)體芯片34的邊緣接觸。
這里，如果用本發(fā)明的方法制造這些半導(dǎo)體芯片，特別是第二半導(dǎo)體芯片37，由于上述邊緣接觸防護(hù)膜，不會(huì)出現(xiàn)第一焊絲38和第二半導(dǎo)體芯片37之間的短路現(xiàn)象。
在本發(fā)明中，在為半導(dǎo)體芯片的芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)的周?chē)纬闪藰?shù)脂膜。然后，沿著邊界區(qū)的中心部分切割半導(dǎo)體晶片。結(jié)果，顯著減少了由切割而引起的半導(dǎo)體芯片的背面上的碎裂。
此外，在具有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件中，其中該半導(dǎo)體元件形成在半導(dǎo)體襯底上，在為芯片分割而提供的邊界區(qū)的部分中形成了樹(shù)脂膜圖形，該圖形與每個(gè)芯片的焊盤(pán)相匹配。也可以沿著邊界區(qū)以預(yù)定的寬度形成樹(shù)脂膜圖形。結(jié)果，在安裝通過(guò)切割半導(dǎo)體晶片而形成的半導(dǎo)體芯片時(shí)，當(dāng)連接焊絲時(shí)，根本不會(huì)出現(xiàn)邊緣接觸問(wèn)題，即半導(dǎo)體襯底和上述焊絲接觸的問(wèn)題。
以這種方式，顯著提高了半導(dǎo)體芯片安裝工序的成品率。本發(fā)明有助于高密度封裝的半導(dǎo)體器件的超高集成化和高密度化。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片，包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片和為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)，其特征在于，在所述邊界區(qū)與每個(gè)芯片的焊盤(pán)相匹配的部分上形成樹(shù)脂膜圖形。
2.一種半導(dǎo)體晶片，包括多個(gè)半導(dǎo)體芯片和為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)，其特征在于，在所述邊界區(qū)的周?chē)灶A(yù)定的寬度形成樹(shù)脂膜圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導(dǎo)體晶片，其特征在于，所述樹(shù)脂膜圖形的寬度設(shè)定為大于10μm。
4.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在半導(dǎo)體晶片上為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)周?chē)扛矘?shù)脂膜，沿著所述邊界區(qū)的中心部分切割半導(dǎo)體晶片。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述邊界區(qū)周?chē)膶挾却笥?0μm。
6.一種在半導(dǎo)體襯底上形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)的部分上形成了與每個(gè)芯片的焊盤(pán)相匹配的樹(shù)脂膜圖形。
7.一種在半導(dǎo)體襯底上形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在為芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)的周?chē)灶A(yù)定的寬度形成了樹(shù)脂膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述樹(shù)脂膜圖形的寬度設(shè)定為大于10μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述樹(shù)脂膜圖形的厚度設(shè)定為大于或等于0.1μm。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于當(dāng)切割半導(dǎo)體晶片時(shí),可容易地防止半導(dǎo)體背面上的碎裂,能夠容易地防止焊絲的邊緣接觸。在為半導(dǎo)體芯片(8)的芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)(對(duì)應(yīng)于6)周?chē)纬蓸?shù)脂膜(14)。然后,沿著邊界區(qū)的中心部分(對(duì)應(yīng)于7)切割半導(dǎo)體晶片。此外,在半導(dǎo)體襯底上形成有半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件中,在為了芯片分割而設(shè)置的邊界區(qū)的部分上形成了與每個(gè)芯片的焊盤(pán)(3)匹配的樹(shù)脂膜(14)。也可以是,在上述邊界區(qū)周?chē)灶A(yù)定寬度形成了樹(shù)脂膜(14)。還可以是,在安裝半導(dǎo)體芯片中連接焊絲(16)時(shí),其設(shè)置使得半導(dǎo)體襯底(9)和上述焊絲不接觸。
文檔編號(hào)H01L23/31GK1336687SQ01123809
公開(kāi)日2002年2月20日 申請(qǐng)日期2001年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月31日
發(fā)明者宮川優(yōu)一 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社