技術(shù)編號：6868545
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體襯底上生長外延層?，F(xiàn)在，將許多半導(dǎo)體器件制造到在半導(dǎo)體襯底上生長的外延層中或?qū)由?。在半?dǎo)體襯底上生長這種外延層要求將輕摻雜層(例如，1E14-1E17原子/cm3)外延沉積到重摻雜襯底(例如，1E19-1E21原子/cm3)上或這種襯底的一部分上。所述襯底可以采用摻雜劑均勻地摻雜，或可以包括多個掩埋層。這種掩模層存在于預(yù)定位置中。它們可以在全部襯底上是相同的導(dǎo)電類型，即或者是p型或者是n型，或者備選地，可以將不同導(dǎo)電類型的掩埋層設(shè)置在所述...
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