技術(shù)編號(hào)：6867650
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，尤其是、但不專門地涉及具有T柵極的FET。背景技術(shù) FET是流過(guò)源極和漏極之間的溝道的電流由柵電極控制的半導(dǎo)體器件。這種器件的動(dòng)態(tài)性能或速度直接取決于柵極的尺度，例如柵極長(zhǎng)度。柵極長(zhǎng)度越小，性能越好。然而，當(dāng)增加不良影響器件性能的幾個(gè)方面時(shí)，還希望保持小的柵極電阻。對(duì)于FET具有小柵極長(zhǎng)度和低柵極電阻的這種需求導(dǎo)致T柵極的發(fā)展。US-2004/0016972公開(kāi)了T柵極結(jié)構(gòu)的實(shí)例。還參考圖1和2，T柵極10定位于半導(dǎo)體晶片...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。