技術(shù)編號：6866548
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有垂直部件的電子器件的制造方法，并涉及一種具有垂直部件的器件。本發(fā)明尤其涉及一種具有垂直溝道的FET器件。背景技術(shù) 隨著集成電路(IC)技術(shù)的發(fā)展，集成電路性能以顯著的速度持續(xù)增長。持續(xù)的進步應(yīng)歸于持續(xù)縮小線寬的能力，使得越來越多的晶體管裝入相同的面積，并能使每單元面積實現(xiàn)越來越多的功能。然而，縮小超出50nm技術(shù)節(jié)點(technology node)的常規(guī)MOSFET需要創(chuàng)新，以克服由于限制常規(guī)MOSFET的基礎(chǔ)物理學(xué)導(dǎo)致的障礙。兩個經(jīng)常...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。