技術(shù)編號：6866412
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件技術(shù)，尤其涉及 CMOS結(jié)構(gòu)和用于高性能CMOS應(yīng)用的工藝。尤其是，本發(fā)明提供具有 高遷移率表面的混合結(jié)構(gòu)，用于平面和多柵極金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶 體管(MOSFET)。背景技術(shù)CMOS器件性能可以通過減少柵極長度和/或增加栽流子遷移率來改 善。為了減少柵極長度，器件結(jié)構(gòu)必須具有良好的靜電完整性。公知的是， 單柵極超薄體MOSFET和例如FinFET和三柵極結(jié)構(gòu)的多柵極MOSFET 相比于常規(guī)體CMOS器件具...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。