技術(shù)編號:6866406
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于具有用硫?qū)倩锏认嘧儾牧闲纬傻南嘧兇鎯卧陌雽?dǎo)體集成電路器件有效的技術(shù)。背景技術(shù) 在以移動電話為代表的移動設(shè)備中,廣泛使用了DRAM、SRAM、FLASH存儲器等半導(dǎo)體存儲器。DRAM的容量大,但存取速度慢。而SRAM速度快,但由于平均1個單元需要多達4至6個晶體管而難以高度集成化,因此不適于做大容量存儲器。另外,DRAM和SRAM為了保持數(shù)據(jù),需要持續(xù)通電。也就是其為易失性。另一方面,F(xiàn)LASH存儲器是非易失性的,因而不需要用于保持...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。