技術(shù)編號(hào)：6866221
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體器件，尤其是包括金屬柵電極的半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)具有由二氧化硅制成的非常薄的柵極電介質(zhì)的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管可能經(jīng)受不可接受的柵極泄漏電流。由某些高k電介質(zhì)材料而非二氧化硅來形成柵極電介質(zhì)可以降低柵極泄漏。但是，因?yàn)檫@種電介質(zhì)可能不與多晶硅兼容，所以人們可能期望在包括高k柵極電介質(zhì)的器件中使用金屬柵電極。當(dāng)制造包括金屬柵電極的CMOS器件時(shí)，替換柵工藝(replacement gate process)可以被用來用不同金屬形成柵...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。