技術編號：6865783
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及制造半導體器件的方法，該半導體器件包括襯底和半導體主體，在該半導體主體中，形成至少一個半導體元件，其中，在該半導體主體中如下形成半導體島通過在半導體主體的表面中形成第一凹槽，該第一凹槽壁由電介層覆蓋，其后經(jīng)由第一凹槽的底部借助于鉆蝕(underetch)來除去半導體主體的橫向部分，由此在半導體主體中形成空腔，在該空腔上形成半導體島，并且其中，在半導體主體的表面中形成第二凹槽，所述第二凹槽壁由另一電介質(zhì)層覆蓋，并且將覆蓋有另一電介質(zhì)層的第二凹槽壁之...
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