技術(shù)編號(hào)：6865519
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例主要涉及半導(dǎo)體制造工藝和半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及在形成半導(dǎo)體器件時(shí)沉積含硅薄膜的方法?，F(xiàn)有技術(shù)描述隨著晶體管尺寸越來越小，制造諸如含硅MOSFET器件(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的100納米以下的超淺源/漏結(jié)CMOS器件(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)面臨越來越多的挑戰(zhàn)。根據(jù)摻雜劑的導(dǎo)電類型，該MOS(FET)晶體管可以包括p-溝道MOS(PMOS)晶體管和n-溝道MOS(NMOS)晶體管，其中PMOS具有p型溝道，即在該溝道中空穴負(fù)責(zé)導(dǎo)電，而N...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。