技術(shù)編號：6865221
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般而言涉及一種半導體器件，更具體而言，涉及一種其中包括用于電阻和/或柵電極的多晶硅圖案的半導體器件及其制造工藝。背景技術(shù) 近年來，特別是在模擬集成電路器件領(lǐng)域，改善器件的特性的需求正在增加。例如，由于模擬半導體集成電路器件必須保證關(guān)于形成其中的晶體管的閾值特性和其中電阻元件的電阻值的高穩(wěn)定性和可控性，在模擬半導體集成電路器件中對于特別是在閾值電壓和電阻值方面的高精度操作特性存在迫切的需求。特別地，在高精度模擬半導體集成電路器件中，重要的是長時間的穩(wěn)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。