技術(shù)編號：6862544
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。因此本發(fā)明的目標是提供一種FET結(jié)構(gòu)，其具有在最優(yōu)晶 向的半導(dǎo)體中被整體制造的現(xiàn)有FET的優(yōu)勢和性能而不需要在最優(yōu) 晶向的半導(dǎo)體中制造整個FET (即其源/漏和溝道)。圖6A到6D為橫截面示意圖，顯示了在不同的混合晶向襯 底上CMOS電路的一個nFET和一個pFET，其中FET中的一個是 本發(fā)明的FET而另一個是現(xiàn)有FET;圖7A到7C顯示了非晶化/模板再晶化法，通過該方法使 得包含兩個不同晶向單晶半導(dǎo)體區(qū)的FET的源/漏區(qū)可以被轉(zhuǎn)化為只 包含一個單晶半導(dǎo)...
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