技術(shù)編號：6857712
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器及其制造方法，并且更具體地，涉及CMOS圖像傳感器及其制造方法，其中與暗電流特性折衷的死區(qū)特性連同暗電流特性一起得到改進。背景技術(shù) 通常，圖像傳感器是把光圖像轉(zhuǎn)換成電信號的半導體裝置。圖像傳感器被分為電荷耦合裝置(CCD)和CMOS圖像傳感器。CCD因其復雜的驅(qū)動模式、高功率消耗以及多級光刻工藝而在制造工藝中具有缺陷。它也難于使控制電路、信號處理電路及模數(shù)轉(zhuǎn)換器集成在CCD芯片上。這不能獲得細長尺寸的產(chǎn)品...
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