專利名稱：Cmos圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器及其制造方法，并且更具體地，涉及CMOS圖像傳感器及其制造方法，其中與暗電流特性折衷的死區(qū)特性連同暗電流特性一起得到改進(jìn)。
背景技術(shù)：
通常，圖像傳感器是把光圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體裝置。圖像傳感器被分為電荷耦合裝置(CCD)和CMOS圖像傳感器。
CCD因其復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)模式、高功率消耗以及多級(jí)光刻工藝而在制造工藝中具有缺陷。它也難于使控制電路、信號(hào)處理電路及模數(shù)轉(zhuǎn)換器集成在CCD芯片上。這不能獲得細(xì)長(zhǎng)尺寸的產(chǎn)品。
最近，CMOS圖像傳感器作為克服CCD的缺點(diǎn)的下一代圖像傳感器已受到關(guān)注。
CMOS圖像傳感器采用開關(guān)模式，其通過以下使用MOS晶體管來順序探測(cè)單元像素的輸出使用CMOS技術(shù)來形成對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體基片上單元像素?cái)?shù)目的MOS晶體管，所述CMOS技術(shù)使用控制電路和信號(hào)處理電路作為外圍電路。
CMOS圖像傳感器的優(yōu)點(diǎn)在于由于CMOS技術(shù)而功率消耗低，以及由于相對(duì)小數(shù)量的光刻工藝步驟而使制造工藝簡(jiǎn)單。此外，由于CMOS圖像傳感器允許控制電路、信號(hào)處理電路和模數(shù)轉(zhuǎn)換器被集成在其芯片上，它的優(yōu)點(diǎn)在于可得到細(xì)長(zhǎng)尺寸的產(chǎn)品。因此，CMOS圖像傳感器廣泛使用于各種應(yīng)用領(lǐng)域，例如數(shù)字靜物攝影機(jī)和數(shù)字?jǐn)z影機(jī)。
通用的CMOS圖像傳感器將參考圖1和2來描述。圖1是說明包括4個(gè)晶體管的4T型CMOS圖像傳感器的單元像素的布局，圖2是說明示于圖1中的CMOS圖像傳感器的單元像素的等效電路圖。
在4T型CMOS圖像傳感器的單元像素中，如圖1和2中所示，光電二極管20形成在有源區(qū)10的寬部分，而四個(gè)晶體管的柵電極110、120、130和140被形成以分別與有源區(qū)10的其它部分重迭。換句話說，轉(zhuǎn)移晶體管Tx、復(fù)位晶體管Rx、驅(qū)動(dòng)晶體管Dx和選擇晶體管Sx分別通過柵電極110、120、130和140而形成。
雜質(zhì)離子被注入每個(gè)除了在柵電極110、120、130和140以下的部分的晶體管的有源區(qū)10中，以便形成每個(gè)晶體管的源和漏區(qū)。因此，電源電壓Vdd被施加于復(fù)位晶體管Rx和驅(qū)動(dòng)晶體管Dx之間的源和漏區(qū)，而電源電壓Vss被施加于位于選擇晶體管Sx一側(cè)的源和漏區(qū)。
轉(zhuǎn)移晶體管Tx把光電二極管所產(chǎn)生的光電荷轉(zhuǎn)移到浮動(dòng)擴(kuò)散(FD)層。復(fù)位晶體管Rx控制并復(fù)位浮動(dòng)擴(kuò)散層的電位。驅(qū)動(dòng)晶體管Dx用作源跟隨器。選擇晶體管Sx用作開關(guān)晶體管以讀取單元像素的信號(hào)。
制造上述相關(guān)技術(shù)CMOS圖像傳感器的方法將參考圖3A到圖3F來描述。圖3A到圖3F是沿示于圖1中的CMOS圖像傳感器單元像素的線I-I’而取的截面圖。
首先，如圖3A中所示，輕摻雜的P型(P-)外延層2被形成在P型半導(dǎo)體基片1上，所述P型半導(dǎo)體基片1使用掩模由有源區(qū)和裝置隔離區(qū)來限定。然后，輕摻雜的P型外延層2使用掩模通過曝光及顯影過程以預(yù)定的深度被蝕刻以形成溝槽。氧化物膜在外延層2上形成。溝槽通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝被填充以氧化物膜以便在裝置隔離區(qū)中形成裝置隔離膜3。
P型雜質(zhì)離子被注入對(duì)應(yīng)于有源區(qū)的外延層2中以在外延層2的表面上形成第一P型雜質(zhì)離子區(qū)4。第一P型雜質(zhì)離子區(qū)4用來控制轉(zhuǎn)移晶體管溝道區(qū)內(nèi)的閾值電壓并釘扎(pin)光電二極管中的表面電壓以減少暗電流。
如圖3B中所示，柵絕緣膜和傳導(dǎo)層順序形成于外延層2的整個(gè)表面上，然后選擇性地被去除以形成包括轉(zhuǎn)移晶體管的相應(yīng)晶體管的柵電極6和柵絕緣膜5。
如圖3C中所示，光阻劑(photoresist)膜被涂覆在整個(gè)表面，然后通過曝光及顯影過程去除以形成暴露光電二極管的光阻劑圖案7。換句話說，光阻劑圖案7被形成以部分覆蓋鄰近裝置隔離膜3的有源區(qū)并部分暴露柵電極6。N型雜質(zhì)離子通過高能量離子注入被注入暴露的光電二極管的外延層2中以形成光電二極管的N型雜質(zhì)離子區(qū)8。光阻劑圖案7然后被去除。
如圖3D中所示，在N型雜質(zhì)離子區(qū)8被形成的狀態(tài)下，光阻劑圖案9被形成以暴露光電二極管。然后，P型雜質(zhì)離子被注入N型雜質(zhì)離子區(qū)8的表面中以形成光電二極管的第二P型雜質(zhì)離子區(qū)10。第二P型雜質(zhì)離子區(qū)10可如下形成。
換句話說，代替圖3D中所示的過程，在N型雜質(zhì)離子區(qū)8形成的狀態(tài)下，如圖3E中所示，絕緣膜被沉積在整個(gè)表面上，然后被干回蝕刻以形成在柵電極6側(cè)的間隔物11以及暴露光電二極管的光阻劑圖案9。然后，P型雜質(zhì)離子被注入N型雜質(zhì)離子區(qū)8的表面中以形成第二P型雜質(zhì)離子區(qū)10。
如圖3F中所示，光阻劑圖案9被去除后，使用掩模通過將N型雜質(zhì)離子重注入于在柵電極6一側(cè)的漏區(qū)中，每個(gè)晶體管的源和漏區(qū)(浮動(dòng)擴(kuò)散層)12得以形成。
然后，盡管未示出，濾色層和微透鏡得以形成。因此，CMOS圖像傳感器得以完全制造。
在上述相關(guān)技術(shù)CMOS圖像傳感器中，光電二極管把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)以產(chǎn)生光電荷。所產(chǎn)生的光電荷移動(dòng)到浮動(dòng)擴(kuò)散層，使得如果轉(zhuǎn)移晶體管Tx被接通來門控(gate)驅(qū)動(dòng)晶體管Dx。然而，如圖3D中所示，如果在間隔物形成前P型雜質(zhì)離子被注入，那么間隔物下的外延層被釘扎。在這種情況下，暗電流的特性得到改進(jìn)但是P型雜質(zhì)離子摻雜級(jí)增加。由于P型雜質(zhì)離子摻雜級(jí)增加，轉(zhuǎn)移晶體管的源區(qū)的勢(shì)壘增加以減少光電荷的轉(zhuǎn)移效率。為此，產(chǎn)生了問題，即形成了死區(qū)，其中在光進(jìn)入傳感器后在某一時(shí)間段沒有信號(hào)產(chǎn)生。
此外，如圖3F中所示，如果在間隔物形成于柵電極側(cè)壁后注入P型雜質(zhì)離子，那么光電荷的轉(zhuǎn)移效率被改善。然而，光電二極管的表面在用于間隔物形成的干蝕刻工藝期間被損壞，從而增加了暗電流。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明指向CMOS圖像傳感器及其制造方法以便基本上消除由于相關(guān)技術(shù)的局限性和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的目的是提供CMOS圖像傳感器及其制造方法，其中雜質(zhì)離子區(qū)形成于半導(dǎo)體基片中以形成光電荷的轉(zhuǎn)移路徑，從而同時(shí)改進(jìn)死區(qū)特性和暗電流特性。
本發(fā)明的另外的優(yōu)點(diǎn)、目的及特征將在隨后的描述部分中提出，并且通過研究以下內(nèi)容對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得顯而易見，或從本發(fā)明的實(shí)踐中習(xí)得。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)可通過在書面描述和權(quán)利要求以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)并獲得。
要實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，如于此具體化及廣泛描述的，根據(jù)本發(fā)明的CMOS圖像傳感器包括第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片，由有源區(qū)和裝置隔離區(qū)限定；裝置隔離膜，形成于對(duì)應(yīng)于裝置隔離區(qū)的第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片中；柵電極，形成在對(duì)應(yīng)于有源區(qū)的晶體管區(qū)的第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片上；第二傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)及第一傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)，以沉積結(jié)構(gòu)形成于柵電極下的半導(dǎo)體基片中；第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)，形成于光電二極管區(qū)的半導(dǎo)體基片中；以及第一傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)，形成于第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)的表面上。
CMOS圖像傳感器進(jìn)一步包括形成在柵電極側(cè)的半導(dǎo)體基片中的源和漏區(qū)，以及形成在所述源和漏區(qū)的半導(dǎo)體基片中的第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)。
優(yōu)選地，第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)通過以傾斜離子注入方式來注入第一傳導(dǎo)型雜質(zhì)離子而形成。通過控制離子注入角度，第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)被延伸至柵電極下的部分。用于第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)的第一傳導(dǎo)型雜質(zhì)離子是B離子、BF2離子、Ga離子或In離子中的任何一種。
在本發(fā)明的另一方面，用于制造CMOS圖像傳感器的方法包括在由有源區(qū)和裝置隔離區(qū)限定的第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片的有源區(qū)表面上形成第一傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)；在對(duì)應(yīng)于有源區(qū)的晶體管區(qū)的第一傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)下形成第二傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)；在對(duì)應(yīng)于晶體管區(qū)的半導(dǎo)體基片上形成柵電極；在對(duì)應(yīng)于有源區(qū)的光電二極管區(qū)的半導(dǎo)體基片中形成第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)；以及在第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)表面上形成第一傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)。
所述方法進(jìn)一步包括在柵電極側(cè)的半導(dǎo)體基片中形成第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)，以及在源和漏區(qū)的半導(dǎo)體基片中形成源和漏區(qū)。
優(yōu)選地，第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)由以傾斜離子注入方式注入第一傳導(dǎo)型雜質(zhì)離子形成。這時(shí)，通過離子注入角度的控制第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)被擴(kuò)充至柵電極以下的部分。第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)的第一傳導(dǎo)型雜質(zhì)離子是B離子、BF2離子、Ga離子或In離子中的任何一個(gè)。
可以理解本發(fā)明的前述一般性描述和以下詳細(xì)描述二者是示范性和說明性的，且意圖是提供如所要求的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的深入理解、被引入并組成本申請(qǐng)的部分，其說明本發(fā)明的實(shí)施例并連同說明書用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1是說明包括4個(gè)晶體管的4T型CMOS圖像傳感器單元像素的布局；圖2是說明示于圖1中的CMOS圖像傳感器的單元像素的等效電路圖。
圖3A到圖3F是說明用于制造相關(guān)技術(shù)CMOS圖像傳感器的方法的截面圖；以及圖4A到圖4F是說明根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于制造CMOS圖像傳感器的方法的截面圖。
具體實(shí)施例方式
將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中說明。在任何可能的地方，相同參考數(shù)字將被用于所有附圖以指示相同或相似部件。
圖4A到圖4F是說明根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于制造CMOS圖像傳感器的方法的截面圖。
如圖4A中所示，輕摻雜的P型(P-)外延層32形成在P型半導(dǎo)體基片31上，所述P型半導(dǎo)體基片31使用掩模由有源區(qū)和裝置隔離區(qū)限定。然后，裝置隔離區(qū)的輕摻雜的P型外延層32通過使用掩模圖案以預(yù)定的深度被蝕刻以形成溝槽。氧化物膜形成在基片上以使溝槽為氧化物膜填充。氧化物膜通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝而被圖案化并保留在溝槽中，以使裝置隔離膜33在裝置隔離區(qū)中形成。
P型雜質(zhì)離子被注入有源區(qū)的外延層中以在外延層32的表面上形成第一P型雜質(zhì)離子區(qū)34。第一P型雜質(zhì)離子區(qū)34被用來控制轉(zhuǎn)移晶體管Tx溝道區(qū)中的閾值電壓并釘扎光電二極管區(qū)中的表面電壓以減少暗電流。
隨后，N型雜質(zhì)離子區(qū)35使用掩模通過雜質(zhì)離子注入而形成在轉(zhuǎn)移晶體管的第一P型雜質(zhì)離子區(qū)34下。N型雜質(zhì)離子區(qū)35用作光電荷的轉(zhuǎn)移路徑。
如圖4B中所示，柵絕緣膜和傳導(dǎo)層順序形成在外延層32的整個(gè)表面上，然后選擇性地被去除以形成包括轉(zhuǎn)移晶體管的相應(yīng)晶體管的柵絕緣膜36和柵電極37。
如圖4C中所示，光阻劑膜被涂覆在整個(gè)表面上，并且然后通過曝光及顯影過程而被去除以形成暴露光電二極管的光阻劑圖案38。換句話說，光阻劑圖案38被形成以部分覆蓋鄰近裝置隔離膜33的有源區(qū)并部分暴露柵電極37。N型雜質(zhì)離子通過高能量離子注入而被注入暴露的光電二極管區(qū)的外延層32中以形成第二N型雜質(zhì)離子區(qū)39。光阻劑圖案38然后被去除。
如圖4D中所示，在第二N型雜質(zhì)離子區(qū)39形成的狀態(tài)下，光阻劑圖案40形成以暴露光電二極管。然后，P型雜質(zhì)離子被注入第二N型雜質(zhì)離子區(qū)39的表面中以形成光電二極管區(qū)的第二P型雜質(zhì)離子區(qū)41。
如圖4E中所示，光阻劑圖案42形成在外延層32之上以覆蓋裝置隔離區(qū)和光電二極管區(qū)。然后，第三P型雜質(zhì)離子區(qū)43形成于轉(zhuǎn)移晶體管的源/漏區(qū)(浮動(dòng)擴(kuò)散層)中。優(yōu)選地，第三P型雜質(zhì)離子區(qū)43圍繞柵電極側(cè)通過P型大角度傾斜離子注入而形成。通過控制離子注入角度，第三P型雜質(zhì)離子區(qū)被延伸至轉(zhuǎn)移晶體管下的部分。這時(shí)，B、BF2、Ga、In等可被用作P型雜質(zhì)離子。
如圖4F中所示，光阻劑圖案42被去除，并且然后使用柵電極37作為掩模通過重注入N型雜質(zhì)離子而形成源和漏區(qū)44。
換句話說，N型雜質(zhì)離子被重注入于P型雜質(zhì)離子區(qū)中以形成P型LDD結(jié)構(gòu)。使用P型LDD結(jié)構(gòu)，通過N型雜質(zhì)離子區(qū)35轉(zhuǎn)移的光電荷得以控制，所述N型雜質(zhì)離子區(qū)35形成于第一P型雜質(zhì)離子34下。
然后，盡管未示出，濾色層和微透鏡被形成。因此，CMOS圖像傳感器得以完全制造。
在根據(jù)本發(fā)明如上所述制造的前述CMOS圖像傳感器中，N型雜質(zhì)離子區(qū)形成在轉(zhuǎn)移晶體管的柵電極下以增加光電荷的轉(zhuǎn)移路徑，從而防止死區(qū)發(fā)生，而沒有暗電流特性的惡化。
另外，光電荷的轉(zhuǎn)移路徑形成于外延層表面上沒有勢(shì)壘通過P型雜質(zhì)離子區(qū)而形成的部分。在這種情況下，即使P型雜質(zhì)離子區(qū)被延伸或其摻雜級(jí)增加，光電荷的轉(zhuǎn)移效率也沒有惡化。結(jié)果，有可能減少CMOS圖像傳感器的暗電流。
此外，由于具有P型雜質(zhì)離子區(qū)的LDD結(jié)構(gòu)形成在轉(zhuǎn)移晶體管的源和漏區(qū)中，有可能減少轉(zhuǎn)移晶體管的泄漏電流。
對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見的是，在本發(fā)明中可進(jìn)行各種修改和變化而不背離本發(fā)明的精神或范圍。因此，意圖是，倘若這樣的修改和變化在所附權(quán)利要求及其等價(jià)的范圍內(nèi)，本發(fā)明將涵蓋這樣的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種CMOS圖像傳感器包括第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片，由有源區(qū)和裝置隔離區(qū)限定；裝置隔離膜，形成在對(duì)應(yīng)于所述裝置隔離區(qū)的所述第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片中；柵電極，形成在對(duì)應(yīng)于所述有源區(qū)的晶體管區(qū)的所述第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片上；第二傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)及第一傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)，以沉積結(jié)構(gòu)形成于所述柵電極下所述半導(dǎo)體基片中；第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)，形成于光電二極管區(qū)的所述半導(dǎo)體基片中；以及第一傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)，形成于第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)的表面上。
2.如權(quán)利要求1的CMOS圖像傳感器，進(jìn)一步包括形成在所述柵電極側(cè)所述半導(dǎo)體基片中的源和漏區(qū)，以及形成在所述源和漏區(qū)的所述半導(dǎo)體基片中的第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)。
3.如權(quán)利要求2的CMOS圖像傳感器，其中所述第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)以傾斜離子注入方式通過注入第一傳導(dǎo)型雜質(zhì)離子而形成。
4.如權(quán)利要求2的CMOS圖像傳感器，其中通過控制離子注入角度，所述第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)被延伸至所述柵電極下的部分。
5.如權(quán)利要求2的CMOS圖像傳感器，其中用于所述第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)的第一傳導(dǎo)型雜質(zhì)離子是B離子、BF2離子、Ga離子或In離子中的任何一種。
6.一種用于制造CMOS圖像傳感器的方法，包括在由有源區(qū)和裝置隔離區(qū)限定的第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片的所述有源區(qū)表面上形成第一傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)；在對(duì)應(yīng)于所述有源區(qū)的晶體管區(qū)的所述第一傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)下形成第二傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)；在對(duì)應(yīng)于所述晶體管區(qū)的所述半導(dǎo)體基片上形成柵電極；在對(duì)應(yīng)于所述有源區(qū)的光電二極管區(qū)的所述半導(dǎo)體基片中形成第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)；以及在所述第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)表面上形成第一傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)。
7.如權(quán)利要求6的方法，進(jìn)一步包括在所述柵電極側(cè)所述半導(dǎo)體基片中形成第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)；以及在源和漏區(qū)的所述半導(dǎo)體基片中形成所述源和漏區(qū)。
8.如權(quán)利要求7的方法，其中所述第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)以傾斜離子注入方式通過注入第一傳導(dǎo)型雜質(zhì)離子而形成。
9.如權(quán)利要求7的方法，其中通過控制離子注入角度，所述第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)被延伸至所述柵電極下的部分。
10.如權(quán)利要求7的方法，其中用于所述第一傳導(dǎo)型第三雜質(zhì)離子區(qū)的第一傳導(dǎo)型雜質(zhì)離子是B離子、BF2離子、Ga離子或In離子中的任何一種。
全文摘要
公開了CMOS圖像傳感器及其制造方法，其中雜質(zhì)離子區(qū)形成在半導(dǎo)體基片中以形成光電荷的轉(zhuǎn)移路徑，從而同時(shí)改善死區(qū)特性和暗電流特性。CMOS圖像傳感器包括第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片，由有源區(qū)和裝置隔離區(qū)限定；裝置隔離膜，形成在對(duì)應(yīng)于所述裝置隔離區(qū)的所述第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片中；柵電極，形成在對(duì)應(yīng)于所述有源區(qū)的晶體管區(qū)的所述第一傳導(dǎo)型半導(dǎo)體基片上；第二傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)及第一傳導(dǎo)型第一雜質(zhì)離子區(qū)，以沉積結(jié)構(gòu)形成于所述柵電極下所述半導(dǎo)體基片中；第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)，形成于光電二極管區(qū)的所述半導(dǎo)體基片中；以及第一傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)，形成于第二傳導(dǎo)型第二雜質(zhì)離子區(qū)的表面上。
文檔編號(hào)H01L21/822GK1819250SQ20051013761
公開日2006年8月16日 申請(qǐng)日期2005年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月29日
發(fā)明者沈喜成, 金泰雨 申請(qǐng)人:東部亞南半導(dǎo)體株式會(huì)社