技術(shù)編號：6857654
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件的改良，以及操作改良式半導(dǎo)體元件電路的方法。更精確地說，本發(fā)明涉及限制存儲單元的源極和漏極之間電流不超出預(yù)設(shè)值的裝置和方法。背景技術(shù) 常見的快閃電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)存儲單元，典型地包含隔離的源極和漏極區(qū)域，擴(kuò)散于半導(dǎo)體襯底內(nèi)，并且在其間提供溝道區(qū)域。此外，常見的快閃存儲單元，包含在溝道區(qū)域上的電絕緣浮動?xùn)艠O，以及配置在該浮動?xùn)艠O上的控制柵極。在源極、漏極和控制柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷?，電荷就會被儲存在浮動?xùn)艠O上或者自浮動?xùn)?..
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。