技術(shù)編號：6857638
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，具體地說，涉及一種具有溝槽柵型MOS晶體管的半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù) 近年來，在使動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)單元小型化時，不可避免地會縮短單元陣列(下稱“單元晶體管”)的存取晶體管的柵極長度。不過，存在柵極長度越短，晶體管的短溝槽效應(yīng)越明顯的問題；從而，晶體管閾值電壓(Vth)下降，閾下電流增大。另外，在襯底中雜質(zhì)的濃度增加，從而抑制Vth下降的情況下，具有DRAM中刷新特性的降低變嚴(yán)重的問題，這是因為結(jié)泄漏增大。發(fā)明內(nèi)容為了避免發(fā)生...
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