技術(shù)編號(hào)：6857184
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于光伏電池的II-VI族半導(dǎo)體薄膜的制備方法。本發(fā)明還涉及利用上述薄膜制備銅銦硫光伏電池的方法。背景技術(shù) II-VI族半導(dǎo)體薄膜，如ZnS、Cu2S、CdS、CdTe、CuInS2等，廣泛應(yīng)用于光伏電池等半導(dǎo)體光電功能器件中。例如，ZnS是重要的光伏電池窗口層，Cu2S可以作為光伏電池吸收層，CdS-ZnS復(fù)合薄膜可以作為光伏電池窗口層，CdS-CdTe復(fù)合薄膜可以構(gòu)成n-p結(jié)，CuInS2是目前最有發(fā)展前途的光伏電池吸收層材料之一。半導(dǎo)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。