技術(shù)編號(hào):6857124
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件,特別是涉及適用于靜電放電保護(hù)電路的一種半導(dǎo)體元件及靜電放電保護(hù)元件。背景技術(shù) 在集成電路,例如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)的制造過(guò)程中或是芯片完成后,靜電放電事件常是導(dǎo)致集成電路損壞的主要原因。舉例來(lái)說(shuō),在地毯上行走的人體,于相對(duì)濕度(RH)較高的情況下可檢測(cè)出約帶有幾百至幾千伏的靜態(tài)電壓,而于相對(duì)濕度較低的情況下則可檢測(cè)出約帶有一萬(wàn)伏以上的靜態(tài)電壓。當(dāng)這些帶電體接觸到芯片時(shí),將會(huì)向芯片放電,結(jié)果...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。