技術(shù)編號(hào)：6856716
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種高壓元件，尤其涉及一種高壓金屬氧化物半導(dǎo)體(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶體管元件以及其制作方法。背景技術(shù) 如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，在半導(dǎo)體元件制造中常有將高壓金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)元件與低壓金屬氧化物半導(dǎo)體元件同時(shí)整合的應(yīng)用。例如，使用低壓金屬氧化物半導(dǎo)體元件來制造控制電路，而使用高壓金屬氧化物半導(dǎo)體元件來制作電可編程只讀存儲(chǔ)器(electrically programmableread-only-memo...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。