技術(shù)編號：6856519
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，更特別涉及一種包括非易失性存儲器的。背景技術(shù) 在包括非易失性存儲器的半導(dǎo)體器件中，除了閃存單元之外，用于控制閃存的高壓晶體管和用于高性能邏輯電路的低壓晶體管被集成在一個半導(dǎo)體芯片上。閃存單元具有層疊結(jié)構(gòu)(stacked structure)的柵極，該層疊結(jié)構(gòu)的柵極由疊置的控制柵極和浮動?xùn)艠O構(gòu)成，其不同于高壓晶體管和低壓晶體管的單層結(jié)構(gòu)的柵極。因此，包括非易失性存儲器的半導(dǎo)體器件具有專門的制造工藝，其中通過同一個工藝分別形成單層結(jié)構(gòu)的柵極和層...
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