技術編號：6856279
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體集成電路器件及其設計方法，尤其涉及固定在利用標準單元通過自動配置布線形成的半導體集成電路中的阱勢。背景技術 已知在半導體集成電路器件比如IC或者LSI中形成的晶體管的元件特性受阱勢波動影響。為了消除這種影響，并維持晶體管的元件特性，有必要穩(wěn)定(固定)阱勢。在利用標準單元通過自動配置布線形成的半導體集成電路器件中，每一個標準單元都配置有電源電壓端子和地電勢端子。為了固定阱勢，在p-阱區(qū)和n-阱區(qū)分別形成被稱作P-子區(qū)和N-子區(qū)的有源區(qū)。p-阱...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。