技術編號：6855685
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路，特別是它們的制造，且尤其涉及集成電路區(qū)域上接觸墊的制造。背景技術 當前，一般通過區(qū)域上部的硅化(silicidation)(即，形成金屬硅化物)，隨后在所述區(qū)域上沉積諸如二氧化硅的絕緣材料后，形成本領域熟練技術人員常稱作“通路”的開口，并用將與硅化區(qū)接觸的金屬填充該通路，從而在集成電路的區(qū)域上制造接觸墊，這些區(qū)域例如在晶體管的源極、漏極或柵極區(qū)上，還有在形成電阻器的多晶硅線上。因此，該通路允許在硅化半導體區(qū)域和集成電路的金屬化平面之間形...
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