技術(shù)編號(hào)：6855051
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)一種非揮發(fā)性內(nèi)存(Non-Volatile Memory)，特別是關(guān)于一種可于低壓(低于10V)抹除的單閘極的非揮發(fā)性內(nèi)存的抹除方法。背景技術(shù) 按，互補(bǔ)式金屬氧化半導(dǎo)體(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)制備技術(shù)已成為特殊應(yīng)用集成電路(applicationspecific integrated circuit，ASIC)的常用制造方法。在計(jì)算機(jī)信息產(chǎn)品發(fā)達(dá)的今天，電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。