技術(shù)編號(hào)：6855028
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種為了降低導(dǎo)通時(shí)的電阻值而在偏移(offset)區(qū)域形成漏極區(qū)域的技術(shù)。背景技術(shù) 在以往的半導(dǎo)體裝置的制造方法中具有如下的制造方法，即，準(zhǔn)備P型的硅襯底，在襯底表面上形成離子注入掩模，其用于形成偏移漏極區(qū)域。在根據(jù)所希望的條件離子注入雜質(zhì)后，去除離子注入掩模。并且，利用熱處理工序使雜質(zhì)擴(kuò)散并形成偏移漏極區(qū)域。之后，在襯底上面層積用于形成場氧化膜的氧化膜和氮化硅膜。并且，對(duì)氮化硅膜進(jìn)行構(gòu)圖，以形成場氧化膜形成時(shí)的開口部。利用熱氧化法形成場氧化膜并...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。