技術(shù)編號(hào):6855017
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,特別是涉及裝備具有長(zhǎng)方形翅片的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的。背景技術(shù) 近年來(lái),集成電路中,構(gòu)成半導(dǎo)體器件的元件的細(xì)微化帶來(lái)的高性能非常顯著。例如邏輯電路、存儲(chǔ)器件這些半導(dǎo)體器件中采用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MISFET金屬絕緣體半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),根據(jù)所謂的比例定律,通過(guò)縮小柵長(zhǎng)度和/或使柵絕緣膜薄膜化,可以實(shí)現(xiàn)上述高性能。對(duì)于具有例如30nm以下的溝道長(zhǎng)度的MISFET,柵長(zhǎng)度是解決短溝道效應(yīng)的重要課題。作為一種解決方法,例如象日本公開(kāi)特許公報(bào)第2003-298...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。