技術(shù)編號：6854948
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種層疊III族氮化物類化合物半導(dǎo)體而形成的半導(dǎo)體元件的，特別涉及形成由氧化銦錫(ITO)構(gòu)成的透光性電極的方法。背景技術(shù) 目前，III族氮化物類化合物半導(dǎo)體元件一般使用非導(dǎo)電性的藍寶石襯底，n電極、p電極都形成在半導(dǎo)體元件層一側(cè)。在此，在所謂的正裝式III族氮化物類化合物半導(dǎo)體元件中，在p型層表面使用例如由合金化了的金(Au)和鈷(Co)構(gòu)成的薄膜透光性電極，從形成有電極的一側(cè)取出光。但是，Au/Co薄膜透光性電極的光透射率為60％左右，光取出...
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