技術編號：6854243
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，尤其涉及一種包括MIS晶體管的，其中該MIS晶體管具有由高介電常數(shù)絕緣膜形成的柵極絕緣膜。背景技術 隨著因半導體器件的集成度的提高MIS晶體管日趨微型化，柵極絕緣膜逐漸變薄。通常，氧化硅膜類絕緣膜，例如二氧化硅膜、氧氮化硅膜等被用作柵極絕緣膜。但是，在將氧化硅膜類絕緣膜用作柵極絕緣膜時，因隧道效應引起的柵極漏電流會隨著柵極絕緣膜逐漸變薄而增加。氧化硅膜類絕緣膜在薄化處理中受到限制。近來，作為替代氧化硅膜類絕緣膜的能夠抑制柵極漏電流且能夠確保...
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