技術(shù)編號(hào)：6854225
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明與一種電荷捕捉半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置有關(guān)，特別是包括氮化物只讀存儲(chǔ)器(NROM)單元的存儲(chǔ)裝置。背景技術(shù) 以電力寫入或消除的非易失性存儲(chǔ)單元，可利用電荷捕捉存儲(chǔ)單元所實(shí)作，其包括一存儲(chǔ)層序列，其具有介電材料，以及介于介電材料局限層之間的存儲(chǔ)層，所述介電材料局限層具有較所述存儲(chǔ)層為大的能帶間隙。此存儲(chǔ)層序列是配置于一半導(dǎo)體層或基板中的溝道區(qū)域之間，并提供一柵極以施加電壓的方式控制所述溝道。所述單元的寫入是利用電荷載子的加速所實(shí)作，特別是在溝道中的電子，以產(chǎn)生具...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。