技術(shù)編號(hào)：6854118
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別是涉及溝道層的雜質(zhì)濃度分布淺的。背景技術(shù) 絕緣柵型半導(dǎo)體裝置通過槽結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)精細(xì)化。圖10是現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的剖面圖，作為一例，表示n溝道型槽結(jié)構(gòu)的MOSFET。在n+型硅半導(dǎo)體襯底21之上層積n-型外延層等，設(shè)置漏極區(qū)域22，并在其表面設(shè)置p型溝道層24。槽27貫通溝道層24并到達(dá)漏極區(qū)域22而設(shè)置，由柵極氧化膜31覆蓋槽27的內(nèi)壁，設(shè)置由填充于槽27的多晶硅構(gòu)成的柵極電極33。在鄰接槽27的溝道層24表面設(shè)置n+型源極區(qū)域35，在相鄰的兩...
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