技術(shù)編號(hào)：6854068
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是關(guān)于一種具有應(yīng)用可變電阻值主動(dòng)固態(tài)電解質(zhì)材料的內(nèi)存胞元的內(nèi)存組件(CBRAM)，其埋嵌在一底部電極與一頂部電極間，且經(jīng)由施加一適當(dāng)電場于所述電極間，即可經(jīng)由比較而使其在具低電阻的一開啟狀態(tài)(on state)與具高電阻的一關(guān)閉狀態(tài)(offstate)間切換；本發(fā)明亦關(guān)于一種用于制造所述內(nèi)存組件的優(yōu)良方法。背景技術(shù) 目前業(yè)界正積極發(fā)展許多以電阻切換原理為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體內(nèi)存技術(shù)，其中以固態(tài)電解質(zhì)材料為基礎(chǔ)的一種可行設(shè)計(jì)便已廣見于文獻(xiàn)中，亦即PMC(Pro...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。