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半導(dǎo)體元件及其制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6853711

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本發(fā)明涉及一種,特別是涉及一種使用犧牲應(yīng)力層來(lái)制作的進(jìn)階。背景技術(shù) 在今日快速發(fā)展的半導(dǎo)體制造工業(yè)中,越來(lái)越強(qiáng)調(diào)元件特征尺寸的減少與元件速度的增進(jìn)。在制造過(guò)程中采用多樣的改善方法以獲取更高的元件性能。舉例而言,可將單一的半導(dǎo)體晶片設(shè)計(jì)成含括低電阻區(qū)與高電阻區(qū)。例如,關(guān)于高電阻區(qū)域,較佳可形成靜電放電元件,以預(yù)防外部充電損害。靜電放電元件的制作可采用犧牲掩蓋物,例如位于部份的元件上的氧化層,來(lái)當(dāng)作罩幕,藉以防止硅化金屬形成于此元件的這些部份上。在半導(dǎo)體制造工...
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