技術(shù)編號：6853704
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件，且特別是有關(guān)于一種靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(static random access memory；SRAM)的記憶胞結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)。背景技術(shù) 互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)是現(xiàn)今用于制造超大型集成(ULSI)電路的主要半導(dǎo)體技術(shù)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)尺寸的縮小在過去數(shù)十年間已在速度、性能、電路密度以及半導(dǎo)體芯片的每記憶胞功能的成本上有顯著的進(jìn)步，然而，當(dāng)CMOS元件的尺寸持續(xù)縮小，則面臨了重大的挑戰(zhàn)。挑戰(zhàn)之一就是軟錯誤(soft err...
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