技術(shù)編號：6852545
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種用以，該方法得到了改進(jìn)的電荷保持特性且其避免了在源極/漏極區(qū)域的熱處理期間對隧道氧化物膜及介電膜的損害。背景技術(shù) 在制造閃存裝置期間，在半導(dǎo)體基板上形成疊層?xùn)艠O，且隨后執(zhí)行再氧化過程。執(zhí)行該再氧化過程以補(bǔ)償隧道氧化物膜在形成疊層?xùn)烹姌O圖案的蝕刻過程期間的側(cè)向損害，以及補(bǔ)償還發(fā)生在蝕刻過程期間的對半導(dǎo)體基板的損害。在執(zhí)行形成源極及漏極區(qū)域的離子注入過程(其為一隨后的過程)時(shí)，再氧化過程可用以在某種程度上減輕對半導(dǎo)體基板的損害。此外，可以執(zhí)行再...
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